功能描述：MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

制造商：microsemi corporation

系列：CoolMOS??

包装：散装

零件状态：在售

FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：116A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 88A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.6V @ 6mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：580nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：13000pF @ 100V

功率 - 最大值：625W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：SP6-P

标准包装：1

APTC60TAM24TPG

APTC60TAM35PG

APTC60TDUM35PG

APTC80A10SCTG

APTC80A15SCTG

APTC80A15T1G

APTC80AM75SCG

APTC80DA15T1G

APTC80DDA15T3G

APTC80DDA29T3G